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fisica dei semiconduttori

Corso Ingegneria dell'Informazione
Curriculum Curriculum unico
Orientamento Orientamento unico
Anno Accademico 2018/2019
Crediti 6
Settore Scientifico Disciplinare FIS/01
Anno Terzo anno
Unità temporale Secondo semestre
Ore aula 48
Attività formativa Attività formative a scelta dello studente (art.10, comma 5, lettera a)

Canale unico

Docente GIACOMO MESSINA
Obiettivi Descrizione sintetica:
Lo scopo del corso è fornire la necessaria base fisica per comprendere le caratteristiche, il funzionamento e le limitazioni degli attuali dispositivi a semiconduttore.
Nella prima parte del corso viene presentata un’introduzione alla struttura cristallina dei solidi, con particolare riferimento alle strutture cristalline di silicio, germanio, arseniuro di gallio. Vengono introdotti i principi di base della meccanica quantistica, applicati allo studio delle bande di energia nei solidi e della conduzione elettrica nei solidi.
La seconda parte del corso tratta dei fenomeni di trasporto dei portatori di carica nei semiconduttori, sotto l’influenza di un campo elettrico (trascinamento di portatori) o di un gradiente di concentrazione (diffusione di portatori). Verranno studiati i processi con cui sono introdotti portatori in eccesso in un semiconduttore (iniezione di portatori) e analizzati i processi di generazione e ricombinazione (diretta ed indiretta). Comprendere il comportamento dei portatori in eccesso in un semiconduttore è fondamentale per capire il funzionamento dei dispositivi elettronici a semiconduttore.
La terza parte del corso tratta della fisica dei più comuni dispositivi a semiconduttore. Viene sviluppata l’elettrostatica di una giunzione p-n e ricavate le caratteristiche I-V della giunzione p-n. Vengono inoltre considerate le giunzioni metallo-semiconduttore, sia rettificanti che non-rettificanti. Infine viene studiata la fisica del transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).

Acquisizione conoscenze su:
Le strutture cristalline più importanti per la fisica dei semiconduttori. I principi di base della Fisica Moderna. La struttura a bande dei semiconduttori. Le leggi che regolano il trasporto dei portatori di carica nei semiconduttori. Meccanismi che determinano la formazione di una barriera di potenziale nelle giunzioni metallo-semiconduttore e nelle giunzioni p-n.
Programma La struttura cristallina dei solidi - Reticoli cristallini – Cella primitiva e cella unitaria – Strutture cristalline fondamentali : sc, fcc, bcc. Piani cristallini e indici di Miller – Strutture cristalline del diamante (Si e Ge) e della zincoblenda (GaAs) – Imperfezioni e impurità nei solidi.

Introduzione alla meccanica quantistica. Particella in una buca di potenziale a pareti infinite - Introduzione alla teoria quantistica dei solidi.- Formazione delle bande di energia. Semiconduttori in equilibrio – Portatori di carica nei semiconduttori – Concentrazione dei portatori intrinseci - Semiconduttori intrinseci ed estrinseci – Donatori e accettori - Posizione del livello di Fermi –

Fenomeni di trasporto nei semiconduttori – Fenomeno di trascinamento dei portatori - Mobilità – Diffusione dei portatori - Corrente di diffusione e corrente di drift - Portatori in eccesso. Iniezione di portatori. Processi di generazione e ricombinazione.

Giunzioni metallo-semiconduttore - La giunzione p-n – Giunzione brusca – Calcolo del potenziale di built-in - Il diodo a giunzione p-n - Caratteristiche I-V – Eterogiunzioni

Elementi di microscopia elettronica
Testi docente Neamen D.A., Semiconductor Physics and Devices. Basic Principles, Mc Graw-Hill
S. Sze, Dispositivi a semiconduttore, Hoepli
Erogazione tradizionale
Erogazione a distanza No
Frequenza obbligatoria No
Valutazione prova scritta
Valutazione prova orale
Valutazione test attitudinale No
Valutazione progetto No
Valutazione tirocinio No
Valutazione in itinere No
Prova pratica No

Ulteriori informazioni

Nessun materiale didattico inserito per questo insegnamento

Elenco dei rievimenti:

Descrizione Avviso
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Nel mese di febbraio 2019 il ricevimento studenti si terrà il giovedì ore 16:00 presso il Laboratorio di Fisica (sopra Aula F1).

E' comunque possibile concordare il ricevimento su appuntamento inviando una email all'indirizzo messina@unirc.it
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Ricevimento Studenti settembre 2018

Per il mese di settembre 2018 il ricevimento studenti di Fisica Generale II, Fisica dei Semiconduttori Fisica dello Stato Solido si terrà il mercoledì ore 11 presso la direzione del DIIES (6° piano).
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Il ricevimento studenti di Fisica Generale II, Fisica dei semiconduttori, Fisica dello stato solido si terra' venerdi' 12 luglio ore 9 presso il Laboratorio di Fisica (primo piano sopra aula F1).
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Il ricevimento studenti del Prof. Giacomo Messina si tiene il venerdi' alle ore 10:00.
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Nel periodo Novembre-dicembre 2018, il ricevimento studenti del Prof. MESSINA si terra' il martedi' pomeriggio ore 17.15 presso il laboratorio di Fisica.
Prof. Giacomo Messina
Ricevimenti di: Giacomo Messina
Il ricevimento studenti del prof. Giacomo Messina si terra' venerdi' 10 gennaio 2020 ore 8:45 presso il Laboratorio di Fisica (sopra aula F1)

E' comunque possibile concordare il ricevimento su appuntamento inviando una email all'indirizzo messina@unirc.it
Ricevimenti di: Giacomo Messina
RICEVIMENTO STUDENTI PROF. Giacomo MESSINA

- Il ricevimento studenti si terrà mercoledì 26 giugno ore 15:00 presso il laboratorio di Fisica (1° piano, sopra Aula F1)
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