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| Corso | Ingegneria informatica, elettronica e delle telecomunicazioni |
| Curriculum | Curriculum unico |
| Orientamento | Orientamento unico |
| Anno Accademico | 2021/2022 |
| Crediti | 6 |
| Settore Scientifico Disciplinare | FIS/01 |
| Anno | Terzo anno |
| Unità temporale | Secondo semestre |
| Ore aula | 48 |
| Attività formativa | Attività formative a scelta dello studente (art.10, comma 5, lettera a) |
| Docente | GIACOMO MESSINA |
| Collaboratore | ANTONINO GIUSEPPE FOTI |
| Obiettivi | Lo scopo del corso è fornire la necessaria base fisica per comprendere le caratteristiche, il funzionamento e le limitazioni degli attuali dispositivi a semiconduttore. Nella prima parte del corso viene presentata un’introduzione alla struttura cristallina dei solidi, con particolare riferimento alle strutture cristalline di silicio, germanio, arseniuro di gallio. Vengono introdotti i principi di base della meccanica quantistica, applicati allo studio delle bande di energia e della conduzione elettrica nei solidi. La seconda parte del corso tratta dei fenomeni di trasporto dei portatori di carica nei semiconduttori, sotto l’influenza di un campo elettrico (trascinamento di portatori) o di un gradiente di concentrazione (diffusione di portatori). Nella terza parte del corso vengono studiate le giunzioni metallo-semiconduttore, sia rettificanti che non-rettificanti, i diodi LED e introdotti i principi dei laser. Infine vengono studiate le proprietà ottiche dei solidi e introdotte le funzioni dielettriche complesse. L’obiettivo formativo del corso di Fisica dei semiconduttori è trasferire agli studenti i concetti fondamentali e le leggi fisiche alla base del funzionamento dei dispositivi elettronici a semiconduttore. Particolare attenzione è rivolta alla risoluzione di semplici problemi sulle strutture cristalline, sulle concentrazioni di equilibrio di elettroni e lacune e sul loro legame con la posizione del livello di Fermi, sui contatti metallo-semiconduttore. Conoscenza e comprensione: al superamento dell’esame lo studente conosce e ha compreso la classificazione delle principali strutture cristalline di interesse per l’elettronica, i principi di base della Meccanica Quantistica applicati ai solidi, le leggi fondamentali che regolano le concentrazioni e il trasporto dei portatori nei semiconduttori, i meccanismi che determinano la formazione di una barriera di potenziale nelle giunzioni metallo-semiconduttore. Capacità di applicare conoscenza e comprensione: al superamento dell’esame lo studente è in grado di applicare le conoscenze teoriche acquisite alla risoluzione di semplici problemi di fisica dei semiconduttori utilizzando le leggi fondamentali che regolano le concentrazioni dei portatori nei semiconduttori, e che determinano la formazione di barriere di potenziale all’interfaccia metallo-semiconduttore. Autonomia di giudizio: al superamento dell’esame lo studente è in grado di esaminare criticamente i risultati ottenuti nella risoluzione di problemi. A seguito del superamento dell’esame, lo studente sarà in grado di riconoscere situazioni in cui applicare le competenze acquisite, di identificare la tipologia di problema e di valutare autonomamente possibili alternative per la sua risoluzione. Abilità comunicative: a seguito del superamento dell’esame, lo studente è in grado di comunicare le conoscenze acquisite attraverso un linguaggio tecnico-scientifico adeguato a interlocutori specialisti e non specialisti. Capacità di apprendimento: a seguito del superamento dell’esame, lo studente è in grado di approfondire in autonomia le conoscenze acquisite e di applicarle autonomamente allo studio dei nuovi argomenti da affrontare nella prosecuzione del proprio percorso di studio. L’esame consiste in due prove, una scritta e una orale. La prova scritta ha lo scopo di accertare la capacità dello studente di applicare le conoscenze acquisite durante il corso alla risoluzione di semplici problemi di fisica dei semiconduttori riguardanti le strutture cristalline, i principi di base della meccanica quantistica, le concentrazioni dei portatori nei semiconduttori drogati, le giunzioni metallo-semiconduttore. Il superamento della prova scritta consente l’accesso alla prova orale. La prova orale è volta ad accertare il livello di conoscenza e comprensione dei contenuti del corso, di valutare l'autonomia di giudizio, la capacità di apprendimento e le abilità comunicative. La prova orale consiste nella discussione della prova scritta, in domande e/o esercizi sui contenuti del corso. Il voto finale delle prove di esame è determinato tenendo conto sia della prova scritta che della prova orale. Modalità di valutazione 30 e lode: conoscenza completa, approfondita e critica degli argomenti, eccellente proprietà di linguaggio, completa ed originale capacità interpretativa, piena capacità di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 28 - 30: conoscenza completa e approfondita degli argomenti, ottima proprietà di linguaggio, completa ed efficace capacità interpretativa, in grado di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 24 - 27: conoscenza degli argomenti con un buon grado di padronanza, buona proprietà di linguaggio, corretta e sicura capacità interpretativa, buona capacità di applicare in modo corretto la maggior parte delle conoscenze per risolvere i problemi proposti; 20 - 23: conoscenza adeguata degli argomenti ma limitata padronanza degli stessi, soddisfacente proprietà di linguaggio, corretta capacità interpretativa, più che sufficiente capacità di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 18 - 19: conoscenza di base degli argomenti principali, conoscenza di base del linguaggio tecnico, sufficiente capacità interpretativa, sufficiente capacità di applicare le conoscenze di base acquisite; <18 Insufficiente: non possiede una conoscenza accettabile degli argomenti trattati durante il corso. |
| Programma | La struttura cristallina dei solidi Materiali semiconduttori - Reticoli cristallini – Cella primitiva e cella unitaria – Strutture cristalline fondamentali: sc, fcc, bcc. – Struttura esagonale compatta - Piani cristallini e indici di Miller – Strutture cristalline del diamante (Si e Ge) e della zincoblenda (GaAs) – Imperfezioni e impurità nei solidi- Cella di Wigner-Seitz –– Reticolo reciproco – Vibrazioni di un reticolo monoatomico: relazione di dispersione E=E(k) – Un esempio di reticolo bidimensionale: il grafene. Introduzione alla meccanica quantistica Principi della meccanica quantistica – Effetto fotoelettrico - Radiazione di corpo nero – Dualismo onda-particella – Lunghezza d’onda di De Broglie – Legge di Bragg per gli elettroni – Equazione d’onda di Schroedinger – Significato fisico della funzione d’onda - Buca di potenziale a pareti infinite – Atomo di idrogeno Introduzione alla teoria quantistica dei solidi Formazione delle bande di energia – Modello di Kronig-Penney – Conduzione elettrica nei solidi – Massa efficace – La funzione densità di stati – Distribuzione di Fermi-Dirac – Livello di Fermi - Estensione ai semiconduttori Semiconduttori in equilibrio Portatori di carica nei semiconduttori – Concentrazione dei portatori intrinseci - Semiconduttori intrinseci ed estrinseci – Donatori e accettori - Posizione del livello di Fermi – semiconduttori compensati Fenomeni di trasporto nei semiconduttori Drift dei portatori – Densità di corrente di drift - Mobilità – Conduttività - Diffusione dei portatori - Corrente di diffusione - Esempi Giunzioni metallo-semiconduttore - Diodo Schottky Proprietà ottiche dei solidi Modello di Lorentz - Oscillatore smorzato e forzato in notazione complessa – Propagazione di un’onda e.m. in un mezzo dielettrico – Indice di rifrazione complesso – Costante dielettrica complessa – Propagazione di un’onda e.m. in un metallo - Modello Drude-Lorentz – Plasmoni Applicazioni Principi dei laser |
| Testi docente | Neamen D.A., Semiconductor Physics and Devices. Basic Principles, Mc Graw-Hill S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience |
| Erogazione tradizionale | Sì |
| Erogazione a distanza | No |
| Frequenza obbligatoria | No |
| Valutazione prova scritta | Sì |
| Valutazione prova orale | Sì |
| Valutazione test attitudinale | No |
| Valutazione progetto | No |
| Valutazione tirocinio | No |
| Valutazione in itinere | No |
| Prova pratica | No |
| Docente | Antonino Foti |
| Collaboratore | ANTONINO GIUSEPPE FOTI |
| Obiettivi | Lo scopo del corso è fornire la necessaria base fisica per comprendere le caratteristiche, il funzionamento e le limitazioni degli attuali dispositivi a semiconduttore. Nella prima parte del corso viene presentata un’introduzione alla struttura cristallina dei solidi, con particolare riferimento alle strutture cristalline di silicio, germanio, arseniuro di gallio. Vengono introdotti i principi di base della meccanica quantistica, applicati allo studio delle bande di energia e della conduzione elettrica nei solidi. La seconda parte del corso tratta dei fenomeni di trasporto dei portatori di carica nei semiconduttori, sotto l’influenza di un campo elettrico (trascinamento di portatori) o di un gradiente di concentrazione (diffusione di portatori). Nella terza parte del corso vengono studiate le giunzioni metallo-semiconduttore, sia rettificanti che non-rettificanti, i diodi LED e introdotti i principi dei laser. Infine vengono studiate le proprietà ottiche dei solidi e introdotte le funzioni dielettriche complesse. L’obiettivo formativo del corso di Fisica dei semiconduttori è trasferire agli studenti i concetti fondamentali e le leggi fisiche alla base del funzionamento dei dispositivi elettronici a semiconduttore. Particolare attenzione è rivolta alla risoluzione di semplici problemi sulle strutture cristalline, sulle concentrazioni di equilibrio di elettroni e lacune e sul loro legame con la posizione del livello di Fermi, sui contatti metallo-semiconduttore. Conoscenza e comprensione: al superamento dell’esame lo studente conosce e ha compreso la classificazione delle principali strutture cristalline di interesse per l’elettronica, i principi di base della Meccanica Quantistica applicati ai solidi, le leggi fondamentali che regolano le concentrazioni e il trasporto dei portatori nei semiconduttori, i meccanismi che determinano la formazione di una barriera di potenziale nelle giunzioni metallo-semiconduttore. Capacità di applicare conoscenza e comprensione: al superamento dell’esame lo studente è in grado di applicare le conoscenze teoriche acquisite alla risoluzione di semplici problemi di fisica dei semiconduttori utilizzando le leggi fondamentali che regolano le concentrazioni dei portatori nei semiconduttori, e che determinano la formazione di barriere di potenziale all’interfaccia metallo-semiconduttore. Autonomia di giudizio: al superamento dell’esame lo studente è in grado di esaminare criticamente i risultati ottenuti nella risoluzione di problemi. A seguito del superamento dell’esame, lo studente sarà in grado di riconoscere situazioni in cui applicare le competenze acquisite, di identificare la tipologia di problema e di valutare autonomamente possibili alternative per la sua risoluzione. Abilità comunicative: a seguito del superamento dell’esame, lo studente è in grado di comunicare le conoscenze acquisite attraverso un linguaggio tecnico-scientifico adeguato a interlocutori specialisti e non specialisti. Capacità di apprendimento: a seguito del superamento dell’esame, lo studente è in grado di approfondire in autonomia le conoscenze acquisite e di applicarle autonomamente allo studio dei nuovi argomenti da affrontare nella prosecuzione del proprio percorso di studio. L’esame consiste in due prove, una scritta e una orale. La prova scritta ha lo scopo di accertare la capacità dello studente di applicare le conoscenze acquisite durante il corso alla risoluzione di semplici problemi di fisica dei semiconduttori riguardanti le strutture cristalline, i principi di base della meccanica quantistica, le concentrazioni dei portatori nei semiconduttori drogati, le giunzioni metallo-semiconduttore. Il superamento della prova scritta consente l’accesso alla prova orale. La prova orale è volta ad accertare il livello di conoscenza e comprensione dei contenuti del corso, di valutare l'autonomia di giudizio, la capacità di apprendimento e le abilità comunicative. La prova orale consiste nella discussione della prova scritta, in domande e/o esercizi sui contenuti del corso. Il voto finale delle prove di esame è determinato tenendo conto sia della prova scritta che della prova orale. Modalità di valutazione 30 e lode: conoscenza completa, approfondita e critica degli argomenti, eccellente proprietà di linguaggio, completa ed originale capacità interpretativa, piena capacità di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 28 - 30: conoscenza completa e approfondita degli argomenti, ottima proprietà di linguaggio, completa ed efficace capacità interpretativa, in grado di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 24 - 27: conoscenza degli argomenti con un buon grado di padronanza, buona proprietà di linguaggio, corretta e sicura capacità interpretativa, buona capacità di applicare in modo corretto la maggior parte delle conoscenze per risolvere i problemi proposti; 20 - 23: conoscenza adeguata degli argomenti ma limitata padronanza degli stessi, soddisfacente proprietà di linguaggio, corretta capacità interpretativa, più che sufficiente capacità di applicare autonomamente le conoscenze per risolvere i problemi proposti; 18 - 19: conoscenza di base degli argomenti principali, conoscenza di base del linguaggio tecnico, sufficiente capacità interpretativa, sufficiente capacità di applicare le conoscenze di base acquisite; <18 Insufficiente: non possiede una conoscenza accettabile degli argomenti trattati durante il corso. |
| Programma | N.D. |
| Testi docente | N.D. |
| Erogazione tradizionale | No |
| Erogazione a distanza | No |
| Frequenza obbligatoria | No |
| Valutazione prova scritta | No |
| Valutazione prova orale | No |
| Valutazione test attitudinale | No |
| Valutazione progetto | No |
| Valutazione tirocinio | No |
| Valutazione in itinere | No |
| Prova pratica | No |
| Descrizione | Avviso | |
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| Ricevimenti di: Giacomo Messina | ||
| Ricevimento Studenti Prof. Giacomo Messina secondo semestre 2022-2023 Il Prof. Messina effettua il ricevimento studenti il mercoledi' alle ore 17. Su richiesta per e-mail si potra' effettuare il ricevimento studenti anche su piattaforma TEAMS. Prof. Giacomo Messina |
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| Ricevimenti di: Giacomo Messina | ||
| Ricevimento Studenti Prof. Messina su piattaforma TEAMS Nel mese di febbraio 2022 il ricevimento studenti del Prof. Messina si terrà il mercoledì dalle 16:00 alle 18:00 su piattaforma TEAMS. In caso di necessità, gli studenti possono richiedere al docente per e-mail un appuntamento in altro orario. |
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