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| Corso | Ingegneria Elettronica |
| Curriculum | Curriculum unico |
| Orientamento | Orientamento unico |
| Anno Accademico | 2014/2015 |
| Crediti | 12 |
| Settore Scientifico Disciplinare | ING-INF/01 |
| Anno | Primo anno |
| Unità temporale | Secondo semestre |
| Ore aula | 96 |
| Attività formativa | Attività formative caratterizzanti |
| Docente | FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE |
| Obiettivi | N.D. |
| Programma | Giunzione PN in polarizzazione inversa, Giunzione PN in polarizzazione diretta, Diodo PIN Commutazione del diodo, Modelli SPICE Effetto transistor, Funzionamento in regione attiva, Effetto Early, Deboli ed elevate polarizzazioni di emettitore, Tempo di transito nella base Distribuzione delle bande nella struttura MOS, Regimi di polarizzazione, Sistemi CCD, Capacità del sistema MOS, Carica nell’ossido ed all’interfaccia Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE CAD per lo sviluppo di dispositivi a stato solido, Applicazioni di strumenti CAD commerciali Termistori, Sensori di temperatura integrati, Reticoli di Bragg Fotodiodi: generazione ottica e correnti fotogenerate, fotodiodi a valanga, Fotoresistori Polarizzazione ed amplificazione. Dispositivi optoelettronici e fotonici in silicio, guide ottiche, effetti elettro-ottici nel silicio, proprietà fondamentali dei materiali per applicazioni fotoniche, modulatori ottici di ampiezza e di fase integrati in guida d’onda (Fabry-Perot, Mach-Zehnder, Ring Resonator) Effetto piezoresistivo ed effetto piezoelettrico, Relazioni stress/carica e campo elettrico/deformazione, Surface acoustic waves (SAW), risonatori SAW, Sensori meccanici capacitivi, Integrazione su silicio di sensori micro-meccanici: cantilever e membrane oscillanti Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET Transistor di potenza Modelli SPICE |
| Testi docente | R. S. Muller - T. I. Kamins “Dispositivi elettronici nei circuiti integrati” Ed. Boringhieri G. Giustolisi, G. Palumbo “Introduzione ai dispositivi elettronici” Ed._Franco Angeli S. Dimitrijev “Understanding semiconductor devices” Ed. Oxford University Press S. M. Sze “Dispositivi a semiconduttore” - Ed. Hoepli S. Middelhoek “Silicon sensors” Materiale didattico fornito dai docenti |
| Erogazione tradizionale | Sì |
| Erogazione a distanza | No |
| Frequenza obbligatoria | No |
| Valutazione prova scritta | Sì |
| Valutazione prova orale | Sì |
| Valutazione test attitudinale | No |
| Valutazione progetto | No |
| Valutazione tirocinio | No |
| Valutazione in itinere | No |
| Prova pratica | No |
| Docente | SANDRO RAO |
| Obiettivi | N.D. |
| Programma | N.D. |
| Testi docente | N.D. |
| Erogazione tradizionale | No |
| Erogazione a distanza | No |
| Frequenza obbligatoria | No |
| Valutazione prova scritta | No |
| Valutazione prova orale | No |
| Valutazione test attitudinale | No |
| Valutazione progetto | No |
| Valutazione tirocinio | No |
| Valutazione in itinere | No |
| Prova pratica | No |
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