Programma |
Giunzione PN in polarizzazione inversa, Giunzione PN in polarizzazione diretta, Diodo PIN Commutazione del diodo, Modelli SPICE
Effetto transistor, Funzionamento in regione attiva, Effetto Early, Deboli ed elevate polarizzazioni di emettitore, Tempo di transito nella base
Distribuzione delle bande nella struttura MOS, Regimi di polarizzazione, Sistemi CCD, Capacità del sistema MOS, Carica nell’ossido ed all’interfaccia
Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE
CAD per lo sviluppo di dispositivi a stato solido, Applicazioni di strumenti CAD commerciali
Termistori, Sensori di temperatura integrati, Reticoli di Bragg
Fotodiodi: generazione ottica e correnti fotogenerate, fotodiodi a valanga, Fotoresistori Polarizzazione ed amplificazione. Dispositivi optoelettronici e fotonici in silicio, guide ottiche, effetti elettro-ottici nel silicio, proprietà fondamentali dei materiali per applicazioni fotoniche, modulatori ottici di ampiezza e di fase integrati in guida d’onda (Fabry-Perot, Mach-Zehnder, Ring Resonator)
Effetto piezoresistivo ed effetto piezoelettrico, Relazioni stress/carica e campo elettrico/deformazione, Surface acoustic waves (SAW), risonatori SAW, Sensori meccanici capacitivi, Integrazione su silicio di sensori micro-meccanici: cantilever e membrane oscillanti
Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET, Transistor di potenza, Modelli SPICE
Tensione di soglia nei MOSFET, Caratteristiche corrente tensione, Parametri del transistor MOSFET
Transistor di potenza Modelli SPICE
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